激光直接成像设备的研发项目

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安徽省 2017年03月28日 10:15:47
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项目主持人

赵岚

yeah

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项目信息

技术概要

技术名称
激光直接成像设备的研发项目
项目介绍
该项目产品广泛应用于掩模版制造、晶圆光刻、生物芯片、EMS器件、微光学器件等微纳制造领域
技术归属
安徽省
所属行业
信息网络
技术原理
该整套技术采用高速高光技术、精密平台技术及深紫外曝光技术。三大技术中分别由倾斜曝光技术、二次成像技术、高速数据实时处理和传输链、平台扫描同步曝光技术、多光头同步技术、图形数据处理技术、精密微环境控制、精密平抬与激光同步扫描技术、高速自动聚焦技术、图形扫描和拼接技术、光学对准技术和图形位置精度。深紫外光学系统、深紫外DMD和深紫外光刻胶工艺技术。
技术指标
指标名称 数据
资料清晰度 100nm
光源 LD Laser
波长 405nm
最小线宽 Fast模式:1.5μm;Fine模式:1.0μm
线宽一致性 Fast模式:≤150nm;Fine模式:≤60nm
套刻精度 ≤300nm(3σ)
拼接精度 Fast模式:≤150nm;Fine模式:≤100nm
照明不均匀性 ≤±10%,软件补偿后≤±3%
功率密度 ≥200mW/cm2
产能 Fast模式:≤150nm;Fine模式:≤60nm
基底厚度 ≤4.5mm
基底尺寸 2〃、4〃、6〃、8〃或规则形状的基底
应用场景
应用场景 场景需求
半导体光刻 应用于掩模版制造、晶圆光刻、生物芯片、EMS器件、微光学器件等微纳制造领域
半导体监测 微纳器件制造领域,具备线宽测量、套刻测量、缺陷检测等不同功能。
激光成像曝光 完成硬板、软板、软硬结合板、IC基板内层、外层,和防焊层的曝光应用。

专利信息

国家专利
专利类型 专利名称 专利号
共计 0个国家专利
国际专利
国家 场景需求 专利号
共计 0个国际专利
项目详情
测评结果

1.省去曝光过程中的底片工序,节省装卸底片时间和成本,以及减少了因底片涨缩引发的偏差
2.直接将CAM资料成像在pcb上,省去CAM制作工序
3.图像解析度高,精细导线可达20um左右,适合精细导线的制作
4.提升了pcb生产的良率
通过精密的光学系统、纳米量级的位移平台等模块及技术,满足亚微米级线宽的要求。

极科百家

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